一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，LED芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。
在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。
这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。
另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。
如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
说到LED芯片行业的发展历史，离不开几个重要的时间节点。2003年6月，中国科技部首i次提出要发展半导体照明；2006年“十一五”将半导体照明工程作为国家的一个重大工程进行推动；2009年开始，中国各地政府对于LED芯片制造厂商采购MOCVD予以补贴，国内LED芯片厂商收入与净利润增加，同时竞争者数量不断攀升，行业竞争加剧。
2011年国家发改委正式发布中国淘汰白炽灯的政府公告及路线图，明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年这几年是淘汰白炽灯的过渡期，同时也是LED照明行业的快速发展期。进入 2016 年以后，各大LED芯片厂扩产带来的产能释放，行业洗牌前夕来临。由于产能过剩，LED芯片引起激烈的价格竞争，导致不少芯片厂商营收和净利润双双下降，众多中小厂商被i迫退出市场。
国外厂商也开始调整策略，对国际大厂来说，他们在技术成熟的LED通用市场已失去明显的竞争优势，切断LED“残腕”或是明智之举，为避免激烈竞争造成的损失扩大。
经过多年的发展，中国ＬＥＤ产业链日趋完善。但赛迪顾问半导体产业研究中心分析师王莹日前向记者表示，纵观ＬＥＤ产业链条，由于上游产业对技术和资金的要求较高，导致国内企业涉足，因此上游产业存在企业数量少、规模小的特点。相比之下，下游封装和应用对企业提出的资金和技术要求相对较低，恰好与国内企业资金少、技术弱的特点相匹配，因此，国内从事封装和应用的企业数量较多。这种局面导致国内ＬＥＤ产业多以低端产品为主，企业长期面临严峻的价格压力。
据记者了解，目前，随着国家半导体照明工程的启动，ＬＥＤ产业发展“一头沉”的状态正在发生改变，ＬＥＤ上游产业得到了较快发展，其中芯片产业发展为引人注目。但从产业规模看，封装仍是ＬＥＤ产业中产业链环节。２００６年我国ＬＥＤ产业总产值达到１０５．５亿元，其中封装产业产值达８７．５亿元。王莹分析认为，不断扩大的市场需求以及政府的大力支持是保证ＬＥＤ产业发展的有利因素。近几年，诸如显示屏、景观照明、交通指示灯、汽车应用、背光源等ＬＥＤ应用市场迅速兴起。新兴应用市场对ＬＥＤ发光效率要求的不断提升催生了对中产品的需求。随着市场需求的增大，ＬＥＤ芯片产业产品升级步伐逐渐加快，ＬＥＤ芯片产品将整体走向。另一方面，ＬＥＤ封装产业的快速发展，也为ＬＥＤ芯片提供了广阔的市场需求，进而为ＬＥＤ产业的发展提供了良好的外部环境。
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